Тюменский индустриальный университет»
Кафедра электроэнергетики и электротехники
Лабораторная работа по дисциплине: «Физические основы электроники»
Лабораторная работа № 3,4 Исследование характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы
Изучение принципа функционирования и основных характеристик биполярного транзистора в схемах с общей базой (ОБ) и общим змиттером (ОЭ), а также овладение методикой определения малосигнальных параметров транзистора, как чотырехполюсника.
3. Задания и порядок выполнения лабораторной работы
3.1. Исследовать характеристики и параметры БТ по схеме с ОЭ
3.1.1. Исследовать семейство статических ВАХ БТ по схеме ОЭ.
Схема для исследования ВАХ транзистора показана на рис. 3.11.
Семейство входных ВАХ IБ = f (UБЭ) снимать при фиксированных значениях UКЭ путем изменения тока IБ и измерением UБЭ.
Семейство выходных ВАХ IК = f(UКЭ) снимать при фиксированных значениях IБ путем изменения напряжения UКЭ и измерением IК.
Задавая значения тока базы (с помощью источника І1) в пределах от 1 ... 200 мкА, а также значения напряжения на коллекторе ( с помощью источника V1 от 0 до 12 В) и измеряя напряжение на базе UБЭ и ток коллектора IК, можно построить все необходимые ВАХ. Результаты измерений занести в соответствующие таблицы (табл. 3.3, 3.4) и построить графики входных и выходных ВАХ транзистора.
Кафедра электроэнергетики и электротехники
Лабораторная работа по дисциплине: «Физические основы электроники»
Лабораторная работа № 3,4 Исследование характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы
Изучение принципа функционирования и основных характеристик биполярного транзистора в схемах с общей базой (ОБ) и общим змиттером (ОЭ), а также овладение методикой определения малосигнальных параметров транзистора, как чотырехполюсника.
3. Задания и порядок выполнения лабораторной работы
3.1. Исследовать характеристики и параметры БТ по схеме с ОЭ
3.1.1. Исследовать семейство статических ВАХ БТ по схеме ОЭ.
Схема для исследования ВАХ транзистора показана на рис. 3.11.
Семейство входных ВАХ IБ = f (UБЭ) снимать при фиксированных значениях UКЭ путем изменения тока IБ и измерением UБЭ.
Семейство выходных ВАХ IК = f(UКЭ) снимать при фиксированных значениях IБ путем изменения напряжения UКЭ и измерением IК.
Задавая значения тока базы (с помощью источника І1) в пределах от 1 ... 200 мкА, а также значения напряжения на коллекторе ( с помощью источника V1 от 0 до 12 В) и измеряя напряжение на базе UБЭ и ток коллектора IК, можно построить все необходимые ВАХ. Результаты измерений занести в соответствующие таблицы (табл. 3.3, 3.4) и построить графики входных и выходных ВАХ транзистора.
